1.3. S 参数与史密斯圆图

S 参数(Scattering Parameters)是射频网络中**唯一实用**的测量参数, 因射频下无法直接测量电压和电流(需测入射/反射波)。

1.3.1. S 参数定义

二端口网络的 S 参数:

            ┌──────────┐
a₁ ──────→ │          │ ←────── a₂
            │  二端口   │
b₁ ←────── │  网络    │ ──────→ b₂
            └──────────┘
\[\begin{split}\begin{bmatrix} b_1 \\ b_2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} S_{11} & S_{12} \\ S_{21} & S_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} a_1 \\ a_2 \end{bmatrix}\end{split}\]

其中 \(a_i\) 为入射波,\(b_i\) 为反射波。

参数

名称

含义

\(S_{11}\)

输入反射系数(回波损耗)

端口 1 的反射波 / 入射波(端口 2 匹配)

\(S_{21}\)

正向传输系数(增益/插入损耗)

端口 2 的输出波 / 端口 1 的入射波

\(S_{12}\)

反向传输系数(隔离度)

端口 1 的输出波 / 端口 2 的入射波

\(S_{22}\)

输出反射系数

端口 2 的反射波 / 入射波(端口 1 匹配)

重要

dB 形式的 S 参数:

\[ \begin{align}\begin{aligned}|S_{11}|_{\text{dB}} = 20 \log_{10} |S_{11}| \quad (\text{回波损耗, RL})\\|S_{21}|_{\text{dB}} = 20 \log_{10} |S_{21}| \quad (\text{插入损耗/增益})\end{aligned}\end{align} \]
例:\(S_{21} = 0.1\ (-20\ \text{dB})\) 表示 -20 dB 插入损耗

\(S_{21} = 10\ (+20\ \text{dB})\) 表示 20 dB 增益

典型 RF 放大器: \(S_{21} \approx 10-30\ \text{dB}\) 、 \(S_{11} < -10\ \text{dB}\)

1.3.2. S 参数特性

器件类型

\(|S_{11}|\)

\(|S_{21}|\)

\(|S_{12}|\)

\(|S_{22}|\)

放大器(单向)

< -10 dB

> 10 dB

< -20 dB

< -10 dB

衰减器

< -20 dB

指定值

同 \(S_{21}\)

< -20 dB

滤波器(通带)

< -15 dB

> -3 dB

同 \(S_{21}\)

< -15 dB

滤波器(阻带)

> -1 dB

< -20 dB

同 \(S_{21}\)

> -1 dB

功分器

< -20 dB

-3.01 dB (等分)

< -20 dB

< -20 dB

1.3.3. 二端口网络的稳定性

\[ \begin{align}\begin{aligned}\Delta = S_{11}S_{22} - S_{12}S_{21}\\K = \frac{1 - |S_{11}|^2 - |S_{22}|^2 + |\Delta|^2}{2|S_{12}S_{21}|}\end{aligned}\end{align} \]

无条件稳定条件:\(K > 1\) 且 \(|\Delta| < 1\)

1.3.4. 史密斯圆图(Smith Chart)

史密斯圆图是射频工程最经典的图形化工具,将复数阻抗映射到反射系数平面。

史密斯圆图的核心映射:

       Z_L - Z_0
Γ = ─────────────
       Z_L + Z_0

归一化阻抗:z = Z_L / Z_0 = r + jx

等电阻 r 圆:圆心 (r/(r+1), 0),半径 1/(r+1)
等电抗 x 圆:圆心 (1, 1/x),半径 1/|x|

1.3.4.1. 圆图上的关键点

位置

阻抗

反射系数

说明

中心点

\(Z_L = Z_0\)

\(\Gamma = 0\)

完美匹配

最左端

\(0\ \Omega\)

\(\Gamma = -1\)

短路

最右端

\(\infty\ \Omega\)

\(\Gamma = +1\)

开路

上半圆

\(r + jx\)

感性

正电抗

下半圆

\(r - jx\)

容性

负电抗

1.3.5. 史密斯圆图的应用步骤

在史密斯圆图上进行阻抗匹配的基本步骤:

步骤 1:将负载阻抗 Z_L 归一化:z = Z_L / Z_0
步骤 2:在圆图上标记 z 点
步骤 3:确定匹配策略(串/并联 L 或 C)
步骤 4:沿等电阻圆或等电导圆移动到匹配点
步骤 5:反归一化得到元件值

圆图上的移动规则:

┌──────────────────────┬──────────────────────┬─────────────────────┐
│ 元件                 │ 移动方向             │ 轨迹                │
├──────────────────────┼──────────────────────┼─────────────────────┤
│ 串联电感 L           │ 沿等电阻圆向上        │ 增加正电抗           │
│ 串联电容 C           │ 沿等电阻圆向下        │ 增加负电抗           │
│ 并联电感 L           │ 沿等电导圆向上        │ 增加负电纳           │
│ 并联电容 C           │ 沿等电导圆向下        │ 增加正电纳           │
│ 串联传输线           │ 沿等 VSWR 圆顺时针    │ 向负载方向移动       │
└──────────────────────┴──────────────────────┴─────────────────────┘

1.3.5.1. . 导纳圆图

有时使用导纳更方便。归一化导纳 \(y = 1/z = g + jb\):

  • 史密斯圆图绕中心旋转 180° 即为导纳圆图

  • 通常阻抗圆图和导纳圆图叠加使用

1.3.6. S 参数测量

矢量网络分析仪 (VNA) 测量 S 参数:

                  ┌──────────────┐
   端口 1 ──────→ │     VNA      │ ←────── 端口 2
                  └──────────────┘
                        │
                  ┌─────┴─────┐
                  │    DUT     │
                  │  (被测件)   │
                  └───────────┘

VNA 校准步骤(以 SOLT 为例):

步骤 1: Short (短路)     → 测量反射
步骤 2: Open (开路)      → 测量反射
步骤 3: Load (50 Ω 负载) → 测量反射
步骤 4: Through (直通)   → 测量传输

校准后将参考面移到 DUT 端口,消除电缆和夹具的误差。

小技巧

S 参数在 ADS 中的使用:

  • S2P 文件:存储二端口 S 参数的标准格式

  • 可在 ADS 中直接导入 S2P 文件作为元件模型(如 SAW 滤波器 S 参数)

  • Touchstone 文件格式(.s2p):业界标准